Navitas Semiconductor Corporation היא חברת מוליכים למחצה המתמחה ברכיבי הספק המבוססים בעיקר על Gallium Nitride, או GaN, ועל Silicon Carbide, או SiC. שני החומרים שייכים למשפחת Wide Bandgap Semiconductors ומשמשים לפיתוח רכיבי הספק המיועדים למיתוג בתדרים גבוהים, לעבודה במתחים גבוהים ולמערכות שבהן יעילות וצפיפות הספק הן דרישות מרכזיות.
הפורטפוליו של Navitas בנוי סביב שתי טכנולוגיות מרכזיות. תחום ה-GaN כולל משפחות כגון GaNFast™, GaNSafe™, GaNSense™ ומוצרים נוספים המשלבים רכיבי הספק ופונקציות בקרה, הגנה וחישה. תחום ה-SiC מבוסס על GeneSiC™ וכולל SiC MOSFETs, Schottky MPS Diodes ומודולי Power המבוססים על SiC.
בשנים האחרונות החברה ממקדת חלק גדל מפעילותה במערכות הספק גבוה. נכון ל-2026, Navitas מציינת ארבעה תחומי יעד מרכזיים במסגרת האסטרטגיה שלה: AI Data Centers, Energy & Grid Infrastructure, Performance Computing ו-Industrial Electrification.
Navitas Semiconductor נוסדה בשנת 2014. החברה פיתחה את GaNFast™, משפחת Power ICs המבוססת על Gallium Nitride, וב-2018 החלה בייצור סדרתי של רכיבי GaNFast.
בשנת 2021 הפכה Navitas לחברה ציבורית באמצעות עסקת מיזוג עם Live Oak Acquisition Corp. II. החל מ-19 באוקטובר 2021 נסחרות מניות החברה בנאסד"ק תחת הסימול NVTS.
באוגוסט 2022 השלימה Navitas את רכישת GeneSiC Semiconductor. GeneSiC נוסדה בשנת 2004 ופיתחה טכנולוגיות Silicon Carbide עבור יישומי הספק גבוה ומתח גבוה. בעקבות הרכישה הרחיבה Navitas את פעילותה מחברה שהתמקדה בעיקר ב-GaN לחברה המפתחת גם משפחות SiC MOSFETs, Diodes ומודולי Power.
בשנים שלאחר מכן המשיכה החברה להרחיב את משפחות ה-GaN וה-SiC שלה, כולל רכיבים המיועדים לרכב, מרכזי נתונים, מערכות אנרגיה ומערכות תעשייתיות. במהלך 2025 ו-2026 העבירה Navitas חלק משמעותי מהמיקוד העסקי שלה מ-Mobile ו-Consumer אל שווקים בעלי הספק גבוה יותר.
Navitas היא חברת Fabless. החברה מתכננת ומפתחת את טכנולוגיות ורכיבי המוליכים למחצה שלה, אך אינה מפעילה מפעלי Wafer עצמאיים לייצור סדרתי. היא משתמשת בשותפי ייצור חיצוניים עבור Wafer Fabrication, Assembly ו-Test.
מודל זה חל הן על פעילות ה-GaN והן על פעילות ה-SiC. החברה מפתחת את מבני הרכיבים, הקניין הרוחני, המעגלים המשולבים וטכנולוגיות המערכת, בעוד שייצור החומרה מתבצע באמצעות שרשרת אספקה חיצונית מוסמכת.
Navitas עבדה לאורך השנים עם מספר שותפי ייצור בתחום GaN ו-SiC. בשנת 2026 החברה ממשיכה להגדיר את עצמה באופן רשמי כחברת Fabless ומשתמשת בספקים חיצוניים לצורך Fabrication, Packaging ו-Test.
בסוף 2025 הודיעה Navitas גם על שיתוף פעולה אסטרטגי ארוך טווח עם GlobalFoundries לפיתוח וייצור טכנולוגיית GaN בארצות הברית. לפי החברה, זמינות הייצור במסגרת שיתוף פעולה זה מיועדת להתחיל במהלך 2026.
Gallium Nitride הוא אחד משני תחומי הטכנולוגיה המרכזיים של Navitas. החברה משתמשת ב-GaN עבור רכיבי Power Switching המיועדים לעבודה בתדרי מיתוג גבוהים ובצפיפות הספק גבוהה.
בניגוד ל-GaN Transistor דיסקרטי בלבד, חלק גדול מהאסטרטגיה הטכנולוגית של Navitas מבוסס על שילוב פונקציות נוספות סביב רכיב ההספק. משפחות שונות משלבות Gate Drive, חישה, הגנה ובקרה יחד עם GaN Power FET.
רכיבי GaN של החברה משמשים כיום ביישומים החל מספקי כוח וממירים ועד מערכות הספק למרכזי נתונים, מחשוב עתיר ביצועים, רכב חשמלי, Solar, Energy Storage ומערכות Motor Drive.
GaNFast™ היא משפחת ה-GaN Power IC המרכזית של Navitas. הרעיון המרכזי במשפחה הוא שילוב של GaN Power Device עם פונקציות Drive בתוך מעגל משולב, במקום להשתמש רק בטרנזיסטור GaN דיסקרטי וב-Gate Driver חיצוני.
Navitas החלה בייצור סדרתי של רכיבי GaNFast בשנת 2018. מאז פיתחה החברה מספר דורות של הטכנולוגיה והרחיבה אותה למגוון רמות הספק ויישומים.
משפחת GaNFast מיועדת ל-Power Conversion ומופיעה בפתרונות החברה עבור AC/DC ו-DC/DC, ספקי כוח, מרכזי נתונים, מערכות רכב ומערכות אנרגיה.
GaNSense™ מרחיבה את רעיון האינטגרציה של GaNFast באמצעות שילוב פונקציות חישה והגנה בתוך רכיב ההספק. החברה מציעה מספר וריאציות של הטכנולוגיה, ובהן GaNSense, GaNSense Control ו-GaNSense Motor Drive.
פונקציות משולבות יכולות לכלול Current Sensing, Voltage Sensing ו-Temperature Protection בהתאם למשפחת המוצר. שילוב החישה בתוך רכיב ההספק מאפשר לצמצם רכיבים חיצוניים ולספק מידע ישירות למערכת הבקרה.
GaNSense Motor Drive מיועדת במיוחד למערכות הנעת מנועים. החברה מציגה רכיבים במשפחה הכוללים חישה דו-כיוונית של זרם ללא נגד Sense חיצוני, לצד ניטור מתח והגנת טמפרטורה.
GaNSafe™ היא משפחת GaN Power ICs של Navitas המיועדת ליישומי הספק גבוה ולמערכות הדורשות רמות גבוהות של הגנה ועמידות. המשפחה כוללת פונקציות משולבות כגון Gate Drive והגנות שונות בהתאם לדגם.
Navitas פיתחה גרסאות Automotive של GaNSafe והודיעה כי רכיבים מהמשפחה עברו Qualification לפי דרישות Automotive מסוג AEC-Q100 ו-AEC-Q101.
החברה מייעדת רכיבי GaNSafe בין היתר ל-EV On-Board Chargers, ממירי HV-LV DC/DC, ספקי כוח למרכזי נתונים ויישומי Power Conversion נוספים.
בשנת 2025 הכריזה Navitas על רכיבי 650V Bi-Directional GaNFast שנכנסו ל-Production Release. רכיב Bi-Directional מאפשר לשלוט בזרימת זרם בשני הכיוונים באמצעות רכיב Power Semiconductor משולב.
החברה מייעדת את הטכנולוגיה לטופולוגיות Power Conversion שבהן ניתן לצמצם את מספר שלבי ההמרה או מספר רכיבי המיתוג. בין תחומי היישום שהיא מציינת נמצאים EV Charging, Solar Micro-Inverters, Energy Storage ו-Motor Drives.
פעילות ה-GaN של Navitas אינה מוגבלת ל-650V בלבד. במהלך 2025 ו-2026 הרחיבה החברה את פעילותה גם לפתרונות Medium-Voltage GaN, כולל רכיבי 100V המיועדים בין היתר לארכיטקטורות Power Delivery של מרכזי נתונים.
ביישומי AI Data Center מציגה החברה שילוב בין רכיבי GaN במתח גבוה לבין רכיבי GaN במתח בינוני כדי לבצע מספר שלבי Power Conversion בין מתח ההזנה הראשי לבין המתחים הנדרשים על ידי מערכות מחשוב.
GeneSiC™ היא משפחת ה-Silicon Carbide של Navitas. הטכנולוגיה הגיעה לחברה באמצעות רכישת GeneSiC Semiconductor בשנת 2022.
GeneSiC מתמקדת בעיקר ביישומים שבהם נדרשים הספק גבוה, מתח גבוה וטמפרטורת עבודה גבוהה. משפחת המוצרים כוללת SiC MOSFETs, SiC Schottky MPS Diodes ומודולי Power.
מוצרי GeneSiC משמשים בין היתר ב-EV Charging, Solar Inverters, Energy Storage Systems, Industrial Motor Drives, UPS, מערכות Grid ותשתיות אנרגיה.
Navitas מציעה באמצעות GeneSiC מספר דורות של Silicon Carbide MOSFETs. החברה משתמשת בטכנולוגיית Trench-Assisted Planar עבור הדורות העדכניים של משפחת GeneSiC.
משפחות ה-SiC של החברה מכסות רמות מתח גבוהות ומיועדות למערכות שבהן Silicon MOSFET רגיל אינו בהכרח הפתרון המתאים מבחינת מתח, הפסדי מיתוג או הספק.
בשנת 2026 הודיעה החברה על הרחבת הדור החמישי של טכנולוגיית GeneSiC ועל דגימות של רכיבי Ultra-High-Voltage SiC במתחים של 2300V ו-3300V. החברה מייעדת טכנולוגיות אלו בין היתר ל-AI Data Centers, Grid Infrastructure ומערכות Industrial Electrification.
אחד התחומים שבהם Navitas מרחיבה את פעילותה הוא SiC במתחים של מספר קילו-וולט. החברה מפתחת רכיבים בטווחי מתח של 2.3kV, 3.3kV ועד רמות גבוהות יותר עבור מערכות הספק בקנה מידה גדול.
תחומי היעד כוללים Grid Infrastructure, Energy Storage, Renewable Energy, EV Fast Charging ומערכות תעשייתיות בעלות הספק גבוה.
טכנולוגיית SiC במתחים אלה מאפשרת לחברה לפעול בשווקים שונים מאלה שבהם שימשו מוצרי GaN המקוריים שלה, שהתמקדו בתחילה בעיקר במערכות בעלות הספק נמוך ובינוני.
GeneSiC מציעה גם Silicon Carbide Schottky MPS Diodes. MPS הוא קיצור של Merged-PiN-Schottky, מבנה דיודה המשלב מאפיינים של Schottky ושל PiN בתוך רכיב SiC.
דיודות אלה מיועדות ליישומי Power Conversion במתח גבוה ומשמשות במערכות כגון PFC, Solar, Industrial Power Supplies ויישומי Energy Conversion נוספים.
Navitas מציעה את משפחת SiCPAK™, הכוללת Power Modules המבוססים על רכיבי GeneSiC. מודולים אלה מרכזים מספר רכיבי הספק בתוך מארז המיועד למערכות בעלות זרם והספק גבוהים יותר מאשר רכיב דיסקרטי יחיד.
משפחת SiCPAK כוללת מודולי 1200V בקונפיגורציות כגון Half-Bridge, Full-Bridge ו-3-Level T-NPC. המודולים כוללים גם NTC Thermistor למדידת טמפרטורה.
תחומי היישום שמציינת Navitas עבור SiCPAK כוללים EV DC Fast Chargers, Industrial Motor Drives, UPS, Solar Inverters, Power Optimizers, Energy Storage Systems, Welding ו-Induction Heating.
IsoFast™ היא משפחת High-Speed Isolated Gate Drivers שהציגה Navitas כחלק מהרחבת פתרונות המערכת שלה. Gate Driver מבודד משמש להעברת אות בקרה אל רכיב Power Switching תוך שמירה על בידוד חשמלי בין צד הבקרה לצד ההספק.
Navitas מציגה את IsoFast כחלק מפתרונות ההספק שלה עבור טופולוגיות המשתמשות ברכיבי GaN ו-SiC. החברה הציגה את הטכנולוגיה לצד רכיבי Bi-Directional GaN עבור EV Charging, Solar, Energy Storage ו-Motor Drives.
AI Data Centers הם כיום אחד מתחומי המיקוד המרכזיים של Navitas. הגידול בהספק הנדרש עבור GPUs ומאיצי AI יוצר צורך במערכות Power Delivery המסוגלות להעביר כמויות גדולות של אנרגיה תוך שמירה על יעילות וצפיפות הספק גבוהה.
Navitas מפתחת עבור תחום זה פתרונות המבוססים על שילוב GaN ו-SiC. החברה מציגה SiC עבור שלבי הספק גבוה ומתח גבוה, ו-GaN עבור Power Conversion בתדרים גבוהים ובשלבים הממוקמים קרוב יותר לעומס.
בשנת 2025 הודיעה Navitas כי NVIDIA בחרה בה לשיתוף פעולה סביב ארכיטקטורות 800V HVDC לדור הבא של מרכזי נתונים. במהלך 2026 הציגה החברה פלטפורמות Power Delivery המבוססות על 800V, כולל פתרונות 800V-to-50V ו-800V-to-6V.
ארכיטקטורות 800V HVDC נועדו להעביר הספק גבוה בתוך תשתיות מרכזי נתונים במתח גבוה יותר, ובכך לצמצם את הזרם הנדרש להעברת אותה כמות אנרגיה.
Navitas מפתחת רכיבי GaN ו-SiC עבור מספר שלבים בארכיטקטורות אלו. החברה הציגה מערכת All-GaN של 10kW להמרה מ-800V ל-50V, המשתמשת ברכיבי GaNFast של 650V ושל 100V.
בנוסף היא מפתחת פתרונות עבור Solid-State Transformers ושלבי המרה נוספים הנדרשים בתשתיות AI Data Center עתירות הספק.
Energy & Grid Infrastructure הוא אחד מארבעת שווקי המיקוד המרכזיים של Navitas ב-2026. בתחום זה נדרשים רכיבי Power Semiconductor לעבודה בהספק ובמתחים גבוהים מאוד.
החברה מייעדת את טכנולוגיות GeneSiC, ובמיוחד רכיבי Ultra-High-Voltage SiC, למערכות Grid, HVDC, Renewable Energy ו-Grid-Scale Energy Storage.
רכיבים אלה יכולים להשתלב בשלבי Power Conversion המקשרים בין מקורות אנרגיה, מערכות אחסון ותשתיות הולכה וחלוקה.
Navitas מפתחת GaN ו-SiC עבור מערכות Solar ו-Energy Storage. יישומים רשמיים כוללים Solar Micro-Inverters, Residential ו-Commercial Inverters, Power Optimizers ומערכות ESS.
GaN מתאים לשלבי Conversion בתדר גבוה, בעוד SiC משמש במערכות בעלות הספק ומתח גבוהים יותר. החברה מציעה את שתי הטכנולוגיות בהתאם לטופולוגיה ולהספק של המערכת.
תחום הרכב החשמלי הוא שוק נוסף עבור מוצרי Navitas. משפחות GaN ו-SiC מיועדות למערכות כגון On-Board Chargers, HV-LV DC/DC Converters ו-EV Fast Charging.
GeneSiC כולל SiC MOSFETs שעברו Qualification עבור Automotive. Navitas משתמשת ב-AEC-Q101 עבור רכיבי SiC מסוימים, ובשנת 2025 הציגה גם את הגדרת AEC-Plus שלה לרכיבים שעוברים מערך בדיקות נוסף מעבר לדרישות Qualification סטנדרטיות שהחברה מציינת.
גם GaNSafe הורחבה לתחום Automotive. החברה דיווחה על Qualification של מוצרי GaN מסוימים לפי AEC-Q100 ו-AEC-Q101 ועל Design-In עבור On-Board Charger של רכב חשמלי.
Industrial Electrification היא אחת מארבע קבוצות השוק המרכזיות באסטרטגיית Navitas הנוכחית. מדובר במערכות תעשייתיות שבהן מנועים, ממירים ומערכות מכניות עוברים להנעה ושליטה חשמלית יעילה יותר.
מוצרי GaN ו-SiC של החברה מיועדים ל-Industrial Motor Drives, Robotics, HVAC, Welding, Induction Heating ויישומי Power Conversion תעשייתיים נוספים.
במערכות בעלות הספק גבוה מציעה Navitas SiC MOSFETs ומודולי SiCPAK. ביישומים שבהם נדרשים תדר מיתוג גבוה ואינטגרציה רבה יותר, החברה מציעה גם פתרונות המבוססים על GaN.
Performance Computing הוא שוק יעד נוסף של Navitas. התחום כולל מערכות מחשוב בעלות צריכת הספק גבוהה שבהן קיימת דרישה להקטנת הפסדי Power Conversion ולצמצום שטח מערכת ההספק.
החברה מפתחת GaN ברמות מתח שונות כדי לתמוך בשלבי Power Delivery למעבדים, GPUs ומאיצי מחשוב. ההתמקדות ב-100V GaN ובמערכות 48V ו-50V קשורה בין היתר למעבר לארכיטקטורות Power Distribution בעלות מתח ביניים גבוה יותר במערכות מחשוב.
Navitas מפתחת פתרונות GaN ו-SiC גם עבור Motor Drives. תחום זה כולל מנועים במכשירי חשמל, מערכות HVAC, מערכות תעשייתיות ויישומים נוספים שבהם נדרש Inverter לשליטה במנוע.
GaNSense Motor Drive משלבת Power Switching עם פונקציות Current, Voltage ו-Temperature Sensing. עבור מערכות בעלות הספק גבוה יותר מציעה החברה GeneSiC MOSFETs ומודולי SiCPAK.
ל-Navitas הייתה במשך שנים פעילות משמעותית במטענים מהירים למחשבים ניידים, סמארטפונים ומוצרי Consumer אחרים. GaNFast שימשה במטעני AC/DC קומפקטיים בהספקים שונים.
עם זאת, במהלך 2025 ו-2026 הודיעה החברה על שינוי אסטרטגי שהיא מכנה Navitas 2.0. במסגרת השינוי היא מפחיתה את התלות ב-Mobile ו-Consumer ומפנה יותר ממשאבי הפיתוח והמכירות לשוקי High-Power.
ארבעת התחומים שהחברה מדגישה כיום הם AI Data Centers, Energy & Grid Infrastructure, Performance Computing ו-Industrial Electrification. מוצרי Mobile ו-Consumer ממשיכים להיות חלק מהפעילות, אך אינם עומדים עוד במרכז אסטרטגיית הצמיחה שלה.
Navitas מפתחת את טכנולוגיות המוליכים למחצה, מבני הרכיבים, המעגלים המשולבים ופתרונות ה-System Design שלה באופן פנימי, גם כאשר הייצור הפיזי מבוצע על ידי Foundries וקבלני ייצור.
פעילות הפיתוח כוללת GaN Power ICs, SiC MOSFETs, Diodes, Power Modules, Gate Drivers, Sensing, Protection וטופולוגיות Power Conversion.
החברה מחזיקה בפורטפוליו פטנטים הקשור ל-GaN, SiC ולפתרונות Power Electronics. נכון לפרסומי החברה ב-2025, יותר מ-300 פטנטים היו מאושרים או בתהליך רישום.
המטה הראשי של Navitas Semiconductor נמצא ב-Torrance, California. החברה מפעילה פעילות מחקר, תכנון, תמיכה ומכירות במספר מדינות ואזורים בעולם.
לפי הדוח השנתי לשנת 2025, ל-Navitas פעילות בארצות הברית וכן באירלנד, גרמניה, איטליה, בלגיה, סין, טאיוואן, דרום קוריאה והפיליפינים. מאחר שמדובר בחברת Fabless, רשת הפעילות הגלובלית שלה כוללת גם שותפי Foundry, Packaging ו-Test חיצוניים.
Navitas Semiconductor ממוקדת בתחום מוגדר יחסית בתוך שוק המוליכים למחצה: Power Electronics המבוססת על Wide Bandgap Materials. במקום להחזיק פורטפוליו רחב של MCU, Memory, Logic או Analog כללי, החברה מתמקדת ב-GaN וב-SiC ובמערכות שבהן טכנולוגיות אלה משמשות להמרה ולשליטה בהספק.
השילוב בין GaNFast ו-GaNSafe בצד ה-GaN לבין GeneSiC בצד ה-SiC מאפשר לחברה לפעול בטווח רחב של מתחים והספקים. נכון ל-2026, המיקוד העיקרי עובר למרכזי נתונים ו-AI, תשתיות אנרגיה וחשמל, מחשוב עתיר ביצועים ומערכות תעשייתיות, לצד המשך פעילות בתחומי EV, Solar, Energy Storage ו-Motor Control.
הזינו את המק"ט של היצרן וראו את כל הצעות המפיצים במסך אחד, כולל מלאי זמין, מדרגות מחיר לפי כמות וזמני אספקה.
להשוואת מחירים ומלאיבנו רשימת רכיבים עם כמויות, ושלחו בקשת הצעת מחיר לספקים שתבחרו בפעולה אחת.
ליצירת BOM