Everspin Technologies, Inc. היא חברת Semiconductor אמריקאית המתמחה בפיתוח, ייצור ומסחור של Magnetoresistive Random Access Memory, או MRAM. מדובר בזיכרון לא נדיף השומר את המידע גם לאחר ניתוק מתח, אך בניגוד ל-Flash הוא מיועד גם ליישומים שבהם נדרשות פעולות קריאה וכתיבה מהירות מאוד וסיבולת כתיבה גבוהה.
פורטפוליו החברה כולל Toggle MRAM, Spin-Transfer Torque MRAM או STT-MRAM, פתרונות Embedded MRAM וטכנולוגיות Magnetic Tunnel Junction. בשנים האחרונות החברה מרכזת חלק גדול מהמוצרים המסחריים תחת המותג PERSYST™, וב-2026 הציגה גם את UNISYST™, משפחת זיכרון חדשה המיועדת לשילוב אחסון קוד ונתונים בזיכרון MRAM לא נדיף אחד.
מוצרי Everspin משמשים במערכות Industrial Automation, Data Centers, Automotive, Aerospace & Defense, Medical, Smart Energy, AI ומערכות Embedded שבהן נדרשת שמירה אמינה של נתונים בזמן הפסקת מתח או בתנאי עבודה קשים.
Everspin Technologies התאגדה במדינת Delaware במאי 2008. ביוני 2008 הופרדה פעילות ה-MRAM של Freescale Semiconductor והפכה לחברת Everspin עצמאית.
הטכנולוגיה שעליה הוקמה החברה קדמה להקמת Everspin עצמה. צוותי Freescale פיתחו וייצרו MRAM עוד לפני ה-Spin-off, ולכן חלק מהניסיון הטכנולוגי והייצורי של Everspin מגיע מפעילות קודמת זו. עם זאת, שנת ההקמה של הישות הנוכחית היא 2008.
מאז הקמתה הרחיבה החברה את פעילותה מ-Toggle MRAM אל STT-MRAM, המאפשרת צפיפות גבוהה יותר והרחבת השימוש ב-MRAM לשווקים כמו Enterprise Storage, Data Centers ומערכות Embedded בעלות דרישות קיבולת גבוהות יותר.
Everspin נסחרת בנאסד"ק תחת הסימול MRAM.
Everspin אינה חברת Fabless. היא משלבת יכולות ייצור פנימיות עם Foundry Partners חיצוניים.
החברה מפעילה ב-Chandler, Arizona, קו ייצור Magnetic Fabrication עבור Back End of Line, או BEOL, על פרוסות 200 מ"מ. בקו זה מבצעת Everspin את השלבים המגנטיים הדרושים ליצירת תאי MRAM על גבי Wafers שמגיעים מתהליכי CMOS Front End.
החברה משתמשת במקביל ב-Foundries חיצוניים לייצור CMOS. עבור דורות STT-MRAM מתקדמים היא פועלת גם באמצעות שותפות עם GlobalFoundries לייצור על פרוסות 300 מ"מ ובתהליכים מתקדמים יותר.
המודל של החברה הוא לכן מודל משולב: יכולת Magnetic BEOL פנימית לצד שימוש ב-CMOS Foundries ובשותפי Manufacturing חיצוניים.
באפריל 2026 הודיעה Everspin על הסכם ייצור אסטרטגי עם Microchip Technology שמטרתו להרחיב את קיבולת הייצור המקומית בארצות הברית.
במסגרת ההסכם מתוכנן להקים אצל Microchip קו MRAM מסוג Copy Exact Plus המבוסס על התהליכים הקיימים של Everspin ב-Chandler. הקו מיועד לייצר MRAM וכן מוצרי Tunnel Magnetoresistive, או TMR.
Everspin ממשיכה במקביל להפעיל את קו הייצור שלה ב-Chandler. החברה ציינה שהמוצרים הראשונים מהרחבת הייצור עם Microchip צפויים להישלח במחצית השנייה של 2027.
MRAM הוא זיכרון לא נדיף שבו המידע נשמר באמצעות מצבים מגנטיים ולא באמצעות מטען חשמלי בתא זיכרון כפי שנעשה בטכנולוגיות Flash מסוימות.
המאפיינים המרכזיים שמדגישה Everspin כוללים שמירת מידע ללא מתח, פעולות קריאה וכתיבה מהירות, סיבולת כתיבה גבוהה, Latency נמוך ויכולת לפעול ללא Battery Backup או Refresh Cycles.
השילוב הזה מאפשר להשתמש ב-MRAM במערכות שבהן צריך לשמור מידע באופן מיידי במקרה של הפסקת מתח, אך עדיין לבצע כתיבות תכופות במהלך עבודה רגילה.
Toggle MRAM היא אחת משתי טכנולוגיות הזיכרון המרכזיות של Everspin. הטכנולוגיה משתמשת ב-Magnetic Tunnel Junctions המשולבים עם CMOS.
Toggle MRAM מיועדת במיוחד למערכות שדורשות Non-Volatility לצד מספר גדול מאוד של פעולות קריאה וכתיבה.
Everspin מציעה מוצרי Toggle MRAM בממשקים Serial ו-Parallel, בהתאם למשפחה. מוצרים מסוימים זמינים גם בטווחי טמפרטורה מורחבים ובגרסאות Automotive.
משפחות Serial MRAM של Everspin משתמשות בממשק SPI ומיועדות למערכות שבהן נדרש מספר קטן יחסית של Pins.
לדוגמה, MR25H256 הוא Toggle MRAM בנפח 256Kb עם ממשק SPI ומהירות של עד 40MHz. החברה מציעה עבור משפחה זו גם אפשרויות שעברו AEC-Q100 Grade 1 Qualification.
רכיבים מסוג זה משמשים לשמירת Configuration Data, Logs, Counters ומידע אחר שעשוי להשתנות פעמים רבות במהלך חיי המערכת.
Everspin מציעה גם Toggle MRAM עם ממשק Parallel. ממשק Parallel מאפשר להעביר מספר Bits בו זמנית ומתאים למערכות שבהן נדרש זמן גישה קצר יותר או רוחב פס גבוה יותר מאשר בממשק Serial פשוט.
משפחות Parallel MRAM מיועדות בין היתר למערכות Industrial, Networking, Storage ויישומים שבהם נדרש זיכרון לא נדיף המתנהג באופן דומה ל-RAM מבחינת אופן הקריאה והכתיבה.
STT-MRAM היא טכנולוגיית MRAM מתקדמת יותר שבה כתיבת המידע מתבצעת באמצעות Spin-Transfer Torque. זרם מקוטב משפיע על המצב המגנטי של Magnetic Tunnel Junction וכך קובע את ערך ה-Bit.
Everspin משתמשת ב-Perpendicular Magnetic Tunnel Junction עבור משפחות STT-MRAM שלה. החברה מציינת שהגישה מאפשרת הקטנת תא הזיכרון, הגדלת הצפיפות והפחתת אנרגיית הכתיבה ביחס לטכנולוגיית Toggle MRAM.
STT-MRAM מאפשרת ל-Everspin להציע מוצרים בעלי קיבולת גבוהה יותר שמתאימים ליישומים שבהם נדרשים גם Persistent Memory וגם רוחב פס גבוה.
PERSYST™ הוא המותג שבו מרכזת Everspin את משפחות Persistent MRAM המסחריות שלה.
המותג כולל את מוצרי Toggle MRAM הוותיקים, משפחות STT-DDR ואת משפחות STT-xSPI מסוג EMxxLX.
PERSYST מיועדת למערכות שבהן נדרשים זמני גישה נמוכים, Non-Volatility, סיבולת כתיבה גבוהה ושמירת נתונים מיידית במקרה של הפסקת מתח.
Everspin מציעה STT-MRAM עם ממשק דמוי DDR4 עבור מערכות שבהן נדרש רוחב פס גבוה.
החברה מציעה רכיבי STT-DDR בצפיפות של עד 1Gb. הם מיועדים להתנהג כ-Persistent DRAM ולשלב ביצועים של זיכרון מהיר עם שמירת מידע ללא מתח.
היישומים המרכזיים כוללים Data Centers, Enterprise Storage ומערכות שבהן קיימת חשיבות להגנה מיידית על מידע פעיל.
STT-xSPI היא משפחת MRAM המשתמשת בממשק Expanded Serial Peripheral Interface, או xSPI.
משפחת EMxxLX של Everspin תומכת בפרוטוקולי Single, Dual, Quad ו-Octal SPI בהתאם לדגם ולמצב העבודה. בממשק Octal SPI ניתן להגיע לקצב נתונים של עד 400MB/s באמצעות שמונה קווי I/O ובתדר של 200MHz.
המשפחה מיועדת לספק ביצועים גבוהים תוך שמירה על מספר Pins נמוך יחסית לממשקי זיכרון מקביליים.
EMxxLX היא משפחת Industrial STT-MRAM של Everspin. החברה מציעה אותה בצפיפויות שונות, כולל 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb, 64Mb ובהרחבות החדשות גם 128Mb ו-256Mb.
הרכיבים תומכים ב-xSPI ומתאימים ל-SPI, QSPI ו-Octal SPI בהתאם לגרסה.
החברה מייעדת את המשפחה למערכות Industrial Automation, Data Center, FPGA Configuration, Automotive, Transportation, Medical, Gaming ויישומי Embedded נוספים.
במרץ 2026 הכריזה Everspin על UNISYST™, דור חדש של MRAM המיועד למערכות Embedded.
הרעיון המרכזי במשפחה הוא לאחד Code Storage ו-Data Memory בתוך זיכרון Non-Volatile אחד במקום להשתמש במספר טכנולוגיות זיכרון נפרדות.
UNISYST מבוססת על STT-MRAM ומיועדת ליישומים כגון Edge AI, Industrial Systems ומערכות Mission-Critical.
המשפחה מיועדת להציע ביצועי קריאה וכתיבה גבוהים ללא צורך במחזורי Erase שמאפיינים Flash.
מעבר למוצרי זיכרון דיסקרטיים, Everspin מציעה גם טכנולוגיית Embedded MRAM, או eMRAM.
במקרה זה משולב ה-MRAM כחלק מתהליך ייצור של SoC, ASIC או רכיב Semiconductor אחר, במקום להיות רכיב זיכרון חיצוני נפרד.
Everspin מאפשרת שילוב של טכנולוגיית STT-MRAM בתהליכי Foundry מתקדמים, כולל באמצעות השותפות שלה עם GlobalFoundries.
Magnetic Tunnel Junction, או MTJ, הוא מבנה בסיסי בטכנולוגיות MRAM של Everspin.
MTJ כולל שכבות מגנטיות שביניהן שכבת בידוד דקה. ההתנגדות החשמלית של המבנה משתנה בהתאם לכיוון היחסי של המגנטיזציה בשכבות.
הבדל ההתנגדות משמש לייצוג מצבי המידע של תא הזיכרון.
Everspin פועלת גם בתחום Tunnel Magnetoresistive, או TMR, מעבר לזיכרונות MRAM עצמם.
החברה משתמשת בניסיון שלה בפיתוח Magnetic Tunnel Junction ובתהליכי Magnetic Wafer Fabrication גם לצורך מוצרי TMR Sensor.
הסכם הייצור החדש עם Microchip משנת 2026 כולל במפורש גם הרחבת ייצור של TMR Sensor Products לצד MRAM.
Industrial הוא אחד השווקים המרכזיים של Everspin. מערכות תעשייתיות עשויות לבצע כתיבה רציפה של Logs, Counters, Calibration Data ומצב מערכת.
MRAM מאפשרת לשמור מידע כזה ללא Battery Backup ובלא צורך לבצע Erase לפני כתיבה.
משפחות Toggle MRAM ו-STT-xSPI של החברה מיועדות ליישומים כגון Process Automation, Control Systems, Industrial IoT וציוד Embedded תעשייתי.
Everspin מספקת MRAM לתעשיית הרכב ומציעה מוצרים שעברו Qualification בהתאם לדרישות Automotive.
בחלק ממשפחות Toggle MRAM קיימות גרסאות שעברו AEC-Q100 Qualification. לדוגמה, MR25H256 זמין גם בגרסת AEC-Q100 Grade 1.
החברה מציינת Automotive ו-Transportation כשווקים שבהם נדרשים Data Persistence, Reliability ויכולת פעולה בטווחי טמפרטורה רחבים.
Data Centers הם תחום מרכזי עבור מוצרי STT-MRAM של Everspin.
מערכות אחסון ושרתים משתמשות לעיתים בזיכרון זמני כדי לשמור Metadata ונתונים קריטיים במהלך פעולות Storage. אובדן פתאומי של מתח עלול לגרום לאובדן נתונים שטרם נכתבו למדיה הקבועה.
Persistent MRAM מאפשרת לשמור את המידע בזיכרון עצמו גם כאשר המתח נעלם, ללא צורך בסוללת גיבוי או Supercapacitor עבור הזיכרון.
משפחות STT-DDR מיועדות במיוחד ליישומים מסוג זה.
STT-xSPI של Everspin מיועדת גם ל-FPGA Configuration.
FPGA דורש בדרך כלל מקור Non-Volatile שממנו נטען קובץ התצורה בעת הפעלה. משפחות EMxxLX מספקות ממשק xSPI מהיר ויכולות לשמש לאחסון Configuration Data.
החברה מדגישה את האפשרות לבצע גם קריאות וגם כתיבות במהירות גבוהה ללא מגבלות Write Endurance המקובלות בזיכרונות Flash מסוימים.
Everspin מרחיבה את פעילותה גם למערכות AI ו-Edge AI.
UNISYST מיועדת בין היתר למערכות Embedded שבהן קוד, מודלים ונתונים צריכים להיות זמינים במהירות מיד לאחר הפעלת המערכת.
החברה מציגה MRAM כפתרון עבור מערכות שבהן Persistence וביצועים נדרשים בו זמנית.
Everspin פעילה במשך שנים בשוקי Aerospace ו-Defense ומציעה MRAM למערכות שבהן נדרשת שמירת נתונים בתנאי סביבה קשים.
החברה מפעילה יכולת ייצור MRAM בארצות הברית ומציעה גם Custom MRAM ו-Space Grade MRAM.
Everspin מציינת כי MRAM שלה נמצא בשימוש במערכות חלל ובסביבות Radiation-Prone.
Everspin ושותפיה מציעים MRAM עבור מערכות שבהן קיימת חשיפה לקרינה.
החברה מספקת Wafers ומוצרים המיועדים לשימוש ב-Aerospace, Defense ו-Space ויכולה לבצע תהליכי Screening מותאמים בהתאם לדרישות הלקוח.
יכולת הייצור המקומית ב-Chandler מאפשרת לה להציע גם פתרונות עבור תוכניות ממשלתיות ו-Defense Industrial Base בארצות הברית.
Medical הוא אחד משווקי היעד שמציינת Everspin עבור MRAM.
במערכות רפואיות מסוימות יש צורך לשמור Calibration, Measurement Data ו-System State גם במקרה של אובדן מתח.
משפחות MRAM של החברה משמשות במערכות שבהן נדרשת כתיבה תכופה יחד עם Data Persistence ואמינות גבוהה.
Everspin מציינת Smart Energy ו-Utilities כתחום יישום עבור זיכרונות MRAM.
מערכות Metering, Grid Control וציוד Energy Management עשויות לבצע עדכונים תכופים של נתוני מדידה ומצב.
MRAM יכולה לשמור את הנתונים הללו ללא צורך בסוללת גיבוי לזיכרון.
Everspin מציינת גם Gaming כשוק עבור מוצרי STT-MRAM ו-xSPI.
במערכות כאלה ניתן להשתמש בזיכרון מהיר ולא נדיף לצורך שמירת נתונים, Configuration ומידע שמתעדכן בתדירות גבוהה.
Everspin משתמשת בשילוב בין CMOS Conventional Processing לבין שלבי Magnetic BEOL ייעודיים.
החברה רוכשת או מייצרת באמצעות שותפים את שכבות ה-CMOS ומוסיפה את מבני ה-Magnetic Tunnel Junction כחלק משלבי ה-BEOL.
בקו Chandler שלה היא מעבדת פרוסות 200 מ"מ. עבור STT-MRAM מתקדם החברה משתמשת גם בייצור 300 מ"מ דרך Foundry Partners.
GlobalFoundries היא שותפת ייצור מרכזית של Everspin עבור STT-MRAM מתקדם.
השותפות מאפשרת ייצור Full-Flow של STT-MRAM על פרוסות 300 מ"מ ובתהליכים כגון 40nm, 28nm ו-22nm בהתאם לפלטפורמה.
הטכנולוגיה יכולה לשמש הן עבור מוצרי MRAM דיסקרטיים והן עבור Embedded MRAM המוטמע בתוך רכיבים אחרים.
ל-Everspin פורטפוליו משמעותי של פטנטים הקשורים ל-MRAM, Magnetic Tunnel Junction, STT-MRAM ותהליכי ייצור מגנטיים.
נכון ל-2026 החברה מציינת יותר מ-700 פטנטים ובקשות פטנט.
לצד מכירת רכיבי זיכרון, Everspin מעניקה גם רישיונות לטכנולוגיות ו-IP שלה ללקוחות ולשותפים המעוניינים לשלב MRAM בתוך מוצרים מותאמים.
מטה Everspin נמצא ב-Chandler, Arizona, ארצות הברית.
בנוסף מפעילה החברה מרכז תכנון ב-Austin, Texas, ומערך מכירות ותמיכה באזורים שונים בעולם.
הייצור וה-Packaging נעשים באמצעות שילוב של האתר הפנימי ב-Arizona, Foundry Partners, מתקני STT-MRAM חיצוניים ושותפי Assembly/Test באסיה.
Everspin Technologies היא יצרנית ממוקדת מאוד בתחום הזיכרון המגנטי. בניגוד ליצרניות Memory רחבות שמציעות DRAM, NAND ו-NOR, פעילות החברה בנויה סביב MRAM והרחבת הטכנולוגיה ממוצרי Toggle MRAM מסורתיים אל STT-MRAM בצפיפות ובביצועים גבוהים יותר.
השילוב בין קו Magnetic BEOL פנימי בארצות הברית, Foundry Partners לתהליכי CMOS ו-300mm, פורטפוליו PERSYST ופתרונות חדשים כמו UNISYST מאפשר ל-Everspin לפעול במערכות שבהן נדרשת שמירת מידע ללא מתח יחד עם כתיבה תכופה, Latency נמוך ואמינות גבוהה. תחומי היעד כוללים Industrial, Automotive, Data Centers, AI, Aerospace & Defense, Medical ו-Smart Energy.
הזינו את המק"ט של היצרן וראו את כל הצעות המפיצים במסך אחד, כולל מלאי זמין, מדרגות מחיר לפי כמות וזמני אספקה.
להשוואת מחירים ומלאיבנו רשימת רכיבים עם כמויות, ושלחו בקשת הצעת מחיר לספקים שתבחרו בפעולה אחת.
ליצירת BOM